智驾网 2026-04-15 12:15
英飞凌加速本土化战略落地:MCU份额达36%,40V MOSFET量产提前至2026年
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2027年,公司将实现40纳米AURIX™ TC3x系列MCU及28纳米车用雷达传感器的前后道本土化生产;40V MOSFET SSO8本土化量产时间提前至2026年。

2026年4月15日,中国上海讯——在4月12日于北京举行的2026智能电动汽车发展高层论坛上,英飞凌科技高级副总裁、汽车业务大中华区负责人曹彦飞发表演讲,宣布自2025年3月公布“与中国汽车产业同频共振”本土化战略以来,公司依托“本土产品定义、本土生产、本土生态圈”三大支柱,已在多个关键领域取得实质性进展。英飞凌连续六年蝉联全球车用半导体市场份额第一,并持续巩固其在中国汽车半导体市场的领先地位。



三大支柱稳步推进


本土产品定义方面,英飞凌已与超过10家本土“导师型”客户开展深度合作,共同开发系统级解决方案,显著缩短产品上市周期。本土生产方面,自2025年下半年起,公司系统性地扩大在华生产产品阵容,覆盖微控制器、传感器与功率器件三大领域,并提前了部分关键产品的量产时间。本土生态圈方面,通过汽车创新峰会等活动,英飞凌与众多整车厂、零部件供应商及创新企业建立更紧密合作,加速创新方案落地。


重点产品关键进展


车规级MCU领域,2025年英飞凌市场份额上升至36%。2027年,公司将通过与本土晶圆厂及封测厂合作,实现40纳米技术的AURIX™ TC3x系列产品前后道本土化生产。AURIX™ TC3x满足中国市场对高性能、高安全性MCU的需求,提供可扩展产品系列。此外,AURIX™ TC397XP成为首个通过汽车芯片信息安全产品测试认证(安全等级二级)的车规级MCU产品。MCU本土化生产规划覆盖从PSoC™、TRAVEO™ II到AURIX™ TC4x/TC3x的完整产品组合。


传感器方面,2027年英飞凌将通过本土合作,实现28纳米技术的车用雷达传感器前后道本土化生产,通过架构创新降低系统功耗和硬件尺寸。


功率器件方面,为应对中国汽车市场对低压功率半导体的持续增长需求,英飞凌将40V MOSFET SSO8的本土化量产时间从原计划的2027年提前至2026年。本土生产的MOSFET优化了开关损耗与封装兼容性。


无锡基地后道封装能力持续升级。40V-100V双通道MOSFET(Dual SSO8)已在无锡实现规模化量产;计划2026年实现用于模拟混合信号产品的DSO封装技术规模化投产。


本土生态:协同创新赋能产业链


英飞凌已与超过10家头部整车厂及Tier-1客户联合建立创新应用中心,加速定制化系统级方案落地。在RISC-V生态构建方面,公司推行“生态先行、生态共建”战略,携手行业协会及本土伙伴构建全面的汽车RISC-V生态系统。“蒲公英俱乐部”赋能近20家来自飞行汽车、智能电驱、线控底盘、氢燃料电池等领域的创新企业。公司连续多年支持全国大学生智能汽车竞赛,累计支持超过500所高校的10多万名学生,并在2025年启动“英才腾飞、创新筑梦”人才交流项目。


并购双轮驱动


2025年,英飞凌收购了Marvell Technology的汽车以太网业务,结合自身微控制器产品组合,提升软件定义汽车领域的系统级解决方案能力。2026年初,公司宣布收购艾迈斯欧司朗的非光学模拟/混合信号传感器业务,进一步扩展传感器产品版图。


曹彦飞表示:“一年前我们描绘了与中国汽车产业共同成长的本土化蓝图;今天,这些承诺正在通过一个个具体项目快速推进。从本土产品定义到本土生产范畴的拓展,再到与本土生态伙伴的协同创新,英飞凌汽车业务的本土化战略已进入落地与全面深化阶段。我们将持续以中国速度赋能本土创新,深化本土化价值链,以更全面的定制化系统级解决方案,赋能中国汽车产业的电动化和智能化变革。”

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